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　　近日，由索尼开发的Exmor R 背照式CMOS传感器获第57届大河内纪念奖。该奖项用于鼓励在工程学上的优秀研究成果。

索尼背照式CMOS

　　背照式传感器改变了传统传感器二极管位于电路晶体管下方的布局，让光线首先到达感光二极管，由于不受金属线路和晶体管的阻碍，开口率可提高至近100%。与CMOS传感器相比，背照式CMOS在灵敏度（S/N）上具有很大优势，显著提高低光照条件下的拍摄效果。

索尼背照式CMOS介绍

　　传统CMOS传感器每个像素点都要搭配一个对应的A/D转换器以及对应的放大电路，因此，这部分电路会占用更多的像素面积，直接导致光电二极管实际感光的面积变小，感光能力变弱。

　　而Exmor R CMOS将光电二极管放置在传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路放到传感器芯片的“背面”。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高，即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。

索尼背照式CMOS介绍

　　较早前索尼发布的DSC-TX1及WX1两款便携数码相机，是Exmor R CMOS传感器的首次应用。目前索尼不少的数码相机使用了该传感器，同时也包括DV产品。

日本长崎技术中心

　　2011年，索尼在长崎投资1000亿日元，包括收购东芝的半导体工厂，意在将Exmor R传感器产量提高一倍。